RAM Speicher PNY MN4GSD42666 4 GB DDR4 2666 Mhz CL19 SODIMM

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Beschreibung

Wenn Sie sich leidenschaftlich mit IT und Elektronikbeschäftigen, mit der Technologie auf dem neuesten Stand sein wollen und nicht einmal die winzigsten Einzelheiten auslassen, kaufen Sie RAM Speicher PNY MN4GSD42666 4 GB DDR4 2666 Mhz CL19 SODIMM.

  • Kapazität: 4 GB
  • Technologie: DDR4
  • Geschwindigkeit: 2666 MHz
  • Spannung: 1,2 V
  • Anschluss: SoDim
  • Latenzzeit: CL19

PNY MN4GSD42666. Component for: Notebook, Arbeitsspeicher (RAM): 4 GB, Memory layout (modules x size): 1 x 4 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2666 MHz, CAS Latenz: 19

  • Arbeitsspeicher (RAM): 4 GB
  • Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 4 GB
  • Interner Speichertyp: DDR4
  • Speichertaktfrequenz: 2666 MHz
  • Component for: Notebook
  • CAS Latenz: 19

Zusätzliche Information

Gewicht 0.5 kg
Größe 21 × 1 × 21 cm
Marke

PNY

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