RAM Speicher PNY MN8GSD42666 8 GB DDR4 CL19 SODIMM

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Beschreibung

Wenn Sie sich leidenschaftlich mit IT und Elektronikbeschäftigen, mit der Technologie auf dem neuesten Stand sein wollen und nicht einmal die winzigsten Einzelheiten auslassen, kaufen Sie RAM Speicher PNY MN8GSD42666 8 GB DDR4 CL19 SODIMM.

  • Kapazität: 8 GB
  • Art: DDR4
  • Geschwindigkeit: 2666 MHz
  • RAM Speicher: 8 GB
  • Anschluss: 260-pin SoDIMM
  • Latenzzeit: CL19

PNY MN8GSD42666. Component for: Notebook, Arbeitsspeicher (RAM): 8 GB, Memory layout (modules x size): 1 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2666 MHz, CAS Latenz: 19

  • Arbeitsspeicher (RAM): 8 GB
  • Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 8 GB
  • Interner Speichertyp: DDR4
  • Speichertaktfrequenz: 2666 MHz
  • Component for: Notebook
  • CAS Latenz: 19

Zusätzliche Information

Gewicht 0.04 kg
Größe 20 × 13 × 1 cm
Marke

PNY

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