RAM Speicher PNY Performance 4 GB DDR4 2666 MHz CL19

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Beschreibung

Wenn Sie sich leidenschaftlich mit IT und Elektronikbeschäftigen, mit der Technologie auf dem neuesten Stand sein wollen und nicht einmal die winzigsten Einzelheiten auslassen, kaufen Sie RAM Speicher PNY Performance 4 GB DDR4 2666 MHz CL19.

  • Kapazität: 4 GB
  • Anschluss: DIMM
  • RAM Speicher: 4 GB DDR4
  • Technologie: DDR4
  • Geschwindigkeit: 2666 MHz
  • Spannung: 1.2 V
  • Latenzzeit: CL19

PNY Performance. Component for: PC / Server, Arbeitsspeicher (RAM): 4 GB, Memory layout (modules x size): 1 x 4 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2666 MHz, CAS Latenz: 19

  • Arbeitsspeicher (RAM): 4 GB
  • Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 4 GB
  • Interner Speichertyp: DDR4
  • Speichertaktfrequenz: 2666 MHz
  • Component for: PC / Server
  • CAS Latenz: 19
  • Speicherkanäle: Single-channel
  • Speicherspannung: 1.2 V
  • Verpackungsart: Sichtverpackung

Zusätzliche Information

Gewicht 0.05 kg
Größe 13.5 × 20 × 0.5 cm
Marke

PNY

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